STW160N75F3中文资料
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- 大小：389.1KB
- 厂家：STMicroelectronics
- 描述： MOSFET, N CH, 75V, 120A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):3.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:120A; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:330W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- 其它有关文件：STW160N75F3 View All Specifications
- 标准包装：30
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：STripFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：75V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：120A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4 毫欧 @ 60A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：85nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：6750pF @ 25V
- 功率 - 最大：330W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
- 其它名称：497-7619-5STW160N75F3-ND
STW160N75F3供应商
更新时间:2023-01-30 15:56:17- 供应商
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TO2473/23+
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原厂渠道，现货配单
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